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蔡司雙束電鏡Crossbeam系列結合了高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)的出色成像和分析性能,以及新一代聚焦離子束(FIB)的優(yōu)異加工能力。無(wú)論是用于多用戶(hù)實(shí)驗平臺,還是科研或工
蔡司雙束電鏡Crossbeam系列結合了高分辨率場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(FE-SEM)的出色成像和分析性能,以及新一代聚焦離子束(FIB)的優(yōu)異加工能力。無(wú)論是用于多用戶(hù)實(shí)驗平臺,還是科研或工業(yè)實(shí)驗室, 利用Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念,您可基于自身需求隨時(shí)升級儀器系統(例如使用LaserFIB進(jìn)行大規模材料加工)。在加工、成像或是實(shí)現三維重構分析時(shí),Crossbeam系列將大大提升您的聚焦離子束(FIB)應用效率。
使您的掃描電鏡(SEM)具備強大的洞察力
提升您的聚集離子束(FIB)樣品制備效率
在您的雙束電鏡(FIB-SEM)分析中體驗出色的三維空間分辨率
產(chǎn)品優(yōu)勢
使您的掃描電鏡具備強大的洞察力
配置Gemini光學(xué)系統的蔡司雙束電鏡Crossbeam系列
通過(guò)樣品臺減速技術(shù)(Tandem decel,新型蔡司Gemini電子光學(xué)系統的一項功能)實(shí)現低電壓電子束分辨率提升高達30%。
使用Gemini電子光學(xué)系統,您可以從高分辨率掃描電鏡(SEM)圖像中獲取真實(shí)的樣品信息。
在進(jìn)行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時(shí),您可以信賴(lài)蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。
即使在使用非常低的加速電壓時(shí)也可獲得高分辨率、高對比度和高信噪比的清晰圖像。
借助一系列的探測器實(shí)現樣品的全方位表征;使用獨特的Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。
使用低電壓表征不導電樣品,消除荷電效應的影響。
提升您的聚焦離子束(FIB)樣品制備效率
得益于智能聚焦離子束(FIB)的掃描策略,移除材料相比以往實(shí)驗快40%以上。
鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式:盡可能減少樣品損傷,提升樣品質(zhì)量,從而加快實(shí)驗進(jìn)程。
使用高達100 nA的離子束束流,高效而精確地處理樣品,并保持高分辨率。
制備TEM樣品時(shí),請使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能:獲得超薄樣品的同時(shí),盡可能降低非晶化損傷。
在您的雙束電鏡分析中體驗出色的三維空間分辨率
體驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來(lái)的優(yōu)勢。
在切割、成像或執行三維分析時(shí),Crossbeam系列將提升您的FIB應用效率。
使用先進(jìn)的快速精準三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來(lái)擴展您的Crossbeam性能。
使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過(guò)程中進(jìn)行EDS和EBSD分析。
雙束電鏡的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸;使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度,可獲得極表面的材料成分襯度圖像。
在加工過(guò)程中收集連續切片圖像以節省時(shí)間;精確的體素尺寸和自動(dòng)流程保證圖像質(zhì)量。
蔡司雙束電鏡Crossbeam系列
加裝飛秒激光系統的蔡司雙束電鏡Crossbeam Laser工作流程
LaserFIB工作流程助力您實(shí)現高分辨率成像和高通量分析
快速到達感興趣的深埋位置,進(jìn)行跨尺度的關(guān)聯(lián)工作流程,通過(guò)大體積分析獲得更好的樣本代表性,并執行三維成像和分析。為您的Crossbeam系列加裝飛秒激光系統,大幅度提升樣品制備效率。
制備超大截面(寬度和深度可達毫米級)。
通過(guò)飛秒激光系統在真空環(huán)境中對樣品進(jìn)行加工,有效避免熱效應對樣品的損傷。
激光加工在獨立的艙室內完成,不會(huì )污染電鏡主艙室和探測器。
可與三維X射線(xiàn)顯微鏡進(jìn)行關(guān)聯(lián),精準定位深埋在樣品內部的感興趣區域(ROI)。